Thép tròn Q620 (GB/T 1591) có thành phần 0,12 Hàng0,20% carbon (C), 0,20 Hàng0,55% silicon (SI), 1,00. (Ti), nhỏ hơn hoặc bằng 0,035% p, nhỏ hơn hoặc bằng 0,035% S.
So với Q550 (0,12 Hàng0,20% C, 0,20 Hàng0,55% Si, 1,00 Tiết1,60% Mn, 0,50 Nott1,00% CR, 0,20 Nott0,50% MO, 0,02.
Ưu tiên Niobium: Q620 sử dụng Niobium (NB) làm microalloy duy nhất (so với hỗn hợp TI/NB của Q550). NB Forms Ultra - cacbua niobi tốt (NBC) ổn định hơn ở nhiệt độ cao (lên đến 600 độ) so với cacbua titan (tic). Các hạt NBC Pin ranh giới hạt và trật khớp, ngăn chặn "trượt ranh giới hạt" điều khiển creep - tốc độ leo của Q620 ở mức 500 độ thấp hơn ~ 35% so với Q550.
Điều khiển molybdenum chặt chẽ hơn: Q620 chỉ định phạm vi MO hẹp hơn (0,30 Hàng0,50% so với 0,20 0,200,50%). MO làm chậm sự khuếch tán nguyên tử (một trình điều khiển creep chính) bằng cách hình thành các cacbua Mo₂c ổn định - Phạm vi chặt chẽ hơn của Q620 đảm bảo ức chế khuếch tán nhất quán, tránh điện trở creep giảm xảy ra ở mức MO thấp hơn của Q550 (0,20.
Hàm lượng crom và carbon giống hệt với Q550, vì chúng hỗ trợ cường độ cơ sở - mức tăng điện trở creep của Q620 xuất phát từ việc điều khiển thành phần vi mô được tối ưu hóa và chặt chẽ hơn.